Валюта UAH
Модуль IGBT силовой Semikron чип V-IGBT SKM75GB12V купить в Киеве
Купить Модуль IGBT силовой Semikron чип V-IGBT SKM75GB12V
Модуль IGBT силовой Semikron чип V-IGBT SKM75GB12V

Модуль IGBT силовой Semikron чип V-IGBT SKM75GB12V

В наличии
Уточняйте цену у продавца
Пример: +380(50)123-45-67
Доставка:
Украина, Киев
(Показать на карте)
+380 
Показать телефоны

Рейтинг компании

100% положительных отзывов из 3
16
16 лет на Allbiz
Технические характеристики
  • БрендSemikron
Описание

SKM75GB12V IGBT Силовой модуль Semikron чип V-IGBT

На складе имеются образцы новых силовых модулей Semikron SKM75GB12V с кристаллами V-IGBT.

В дополнение к уже выпускаемым модулям SEMITRANS с чипами IGBT Trench 4, семейство SEMITRANS теперь может комплектоваться 1200 В кристаллами V-IGBT.

**Основные положения:**

• В основе новых чипов 1200V Trench технология
• Силовые модули с V-IGBT чипом имеют в конце маркировки 12V
• Размер чипов аналогичен IGBT4
• Используются одинаковые типы диодов - CAL 4.

**Особенности применения V-IGBT:**

• V-IGBT имеют более высокую скорость коммутации, чем IGBT4 или SPT при одинаковом резисторе затвора RG (большее значение di/dton)
• Потери включения Eon для V-IGBT (при аналогичном и меньшем RG) ниже чем у IGBT4
• Скорость коммутации V-IGBT может быть снижена при использовании большего значения RGon. При этом характер коммутации становится аналогичен IGBT4
• Поведение при выключении у чипов различного типа аналогично
• Потери выключения Eoff аналогичны (вне зависимости от величины RG)
• В отличие от IGBT4, du/dt и di/dtoff для V-IGBT уменьшаются с ростом RGoff
• RG влияет на потери обратного восстановления Err
• Увеличение RG приводит к снижению Err
• Потери обратного восстановления модулей с диодами CAL4 аналогичны, независимо от типа IGBT (V-IGBT или IGBT4)
• Заряд затвора QG у V-IGBT на 90% больше чем у IGBT4 и на 20% больше чем у IGBT SPT (этот факт необходимо учитывать при выборе драйвера и расчете мощности потерь схемы управления)
• V-IGBT и IGBT4 имеют одинаковые ограничения ОБР / SOA (Safe Operating Area)
• Уровень перенапряжения при большем значении VDC для V-IGBT ниже, чем у IGBT4
• Максимальный ток инвертора с V-IGBT аналогичен IGBT4 (диаграмма 1).

**Технические данные:**

• номинальное напряжение U=1200 V
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов- IC@ (TC=25º C) =121A
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — Icnom=75A
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=1,85V
• потери энергии при включении — Eon=6,7mJ
• потери энергии на выключение — Eoff=7,1mJ
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0,38K/W
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25º C) = =97A
• (непосредственное) прямое падение напряжения (на обратном диоде) -VF=2,17 V
• потери энергии при обратном восстановлении (обратного диода) — Err=4.2mJ
• тепловое сопротивление переход-корпус (диод) — Rth (j-c) =0,58 K/W.
• корпус- SEMITRANS 2.

Спецификация
Способы доставки
Связаться с продавцом
Модуль IGBT силовой Semikron чип V-IGBT SKM75GB12V
Модуль IGBT силовой Semikron чип V-IGBT SKM75GB12V
за
по товару
Ваше сообщение должно содержать не меньше 20 символов. Сообщение не может быть больше 2000 символов.
Не заполнено обязательное поле
Неверно заполнено поле
Неверно заполнено поле
Сравнить0
ОчиститьВыбрано позиций: 0