Транзистор 2Т808А

2Т808А

Транзистори кремнієві мезапланарних структури npn переключательние.
Призначені для застосування в перемикаючих пристроях, генераторах малої розгорнення, електронних регуляторах напруги.
Корпус транзисторів 2Т808А, КТ808А металевий зі скляними ізоляторами і жорсткими висновками.
Транзистор 2Т808А - 2 - безкорпусний на металевій молибденовой підкладці з захисним покриттям і гнучкими висновками.
Маса транзисторів 2Т808А, КТ808А ( - без накидного фланця) - не більше 22 г,
Тип корпусу: КТЮ - 3 - 20.
Технічні умови: Ге3.365.004 ТУ.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т808А:
• Структура транзистора: npn -
• Рк т max - Постійна розсіює потужність колектора з теплоотводом: 50Вт -
• fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми з загальним емітером: не менше 7,2 МГц -
• Uкеr max - Максимальна напруга колектор - емітер при заданому струмі колектора і заданому опорі в ланцюзі база - емітер: 120 ( - 250 имп. ) - В -
• Uебо max - Максимальна напруга емітер - база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутої ланцюга колектора: 4 В -
• Ік max - Максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А -
• Iкеr - Зворотний струм колектор - емітер при заданих зворотній напрузі колектор - емітер і опорі в ланцюзі база - емітер: 3 мА ( - 120В) -
• h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 10 . . . 50
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більше 500 пФ

 

Технічні характеристики транзисторів 2Т808А, КТ808А:

Тип транзистора	структура	Граничні значення параметрів при Тп = 25 ° С						Значення параметрів при Тп = 25 ° С								T П max	Т max
		I До max	I К. І. max	U КЕ R max (U КЕ 0 max)	U КБ 0 max	U ЕБ 0 max	Р До max (Р К. Т. max)	h21Е	U КЕ нас.	I КБО	I Ебо	f гр.	До Ш	З До	З Е
		А	А	В	В	В	Вт		В	мА	мА	МГц	дБ	пФ	пФ	° С	° С
2Т808А	npn	10	15	120	-	4	5 (50)	15 . . . 50	-	3	15	& Gt - 7,2	-	500	-	150	- 60 . . . + 125
КТ808А	npn	10	15	120	-	4	5 (50)	15 . . . 50	-	3	15	& Gt - 7,2	-	500	-	150	- 60 . . . + 125

Умовні позначення електричних параметрів транзисторів:
• I До max - максимально допустимий постійний струм колектора транзистора.
• I К. І. max - максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• U КЕ R max - максимальна напруга між колектором і емітером при заданому струмі колектора і опорі в ланцюзі база - емітер.
• U КЕ 0 max - максимальна напруга між колектором і емітером транзистора при заданому струмі колектора і струмі бази, рівним нулю.
• U КБ 0 max - максимальна напруга колектор - база при заданому струмі колектора і струмі емітера, рівним нулю.
• U ЕБ 0 max - максимально допустимий постійна напруга емітер - база при струмі колектора, що дорівнює нулю.
• Р До max - максимально допустима постійна потужність, розсіює на колекторі транзистора.
• Р К. Т. max - максимально допустима постійна потужність, розсіює на колекторі транзистора з теплоотводом.
• h21Е - статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора.
• U КЕ нас. - напруга насичення між колектором і емітером транзистора.
• I КБО - зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор - база і розімкнутому виведення емітера.
• I Ебо - зворотний струм емітера. Струм через емітерний перехід при заданому зворотному напрузі емітер - база і розімкнутому виведення колектора.
• f гр - гранична частота коефіцієнта передачі струму.
• До Ш - коефіцієнт шуму транзистора.
• З К - ємність колекторного переходу.
• З Е - ємність колекторного переходу.
• Т П max & nbsp - - максимально допустима температура переходу.
• Т max & nbsp - - максимально допустима температура навколишнього середовища.